특허법원 2007. 12. 6. 선고 2006허11855 판결 [취소결정(특)] - 상고심리불속행기각
이 사건 제28항 발명은 웨이퍼를 고온으로 가열한 후에 급속냉각함으로써 비균일한 분포의 베이컨시를 가진 웨이퍼를 얻을 수 있고, 이를 저온 열처리할 경우에 웨이퍼 내에 존재하는 인터스티셜 산소(격자간 산소)농도의 차이에 의해서가 아니라 비균일한 베이컨시의 분포에 의해서 디누드 영역을 형성할 수 있음을 인식하고 이를 그 특징으로 기재하고 있으나, 웨이퍼를 고온으로 가열한 후에 급속냉각함으로써 만들어진 웨이퍼를 저온열처리 하여 디누드 영역과 벌크층에 산소침전물을 형성하는 기술구성이 공지되어 있고, 이 사건 제28항 발명의 웨이퍼 열처리 방법이 공지된 기술구성과 동일한 이상, 종래의 공지된 기술구성이 명확히 파악하지 못한 열처리된 웨이퍼의 성질을 인식·발견하고, 이를 기재하였다고 하더라도 그것만으로는 특허의 대상인 발명에 이르렀다고 할 수 없는데, 특허의 대상인 발명은 기술적 사상을 창작하는 것으로서 본래부터 존재하는 현상의 발견이나 인식, 또는 현상에 대한 새로운 원인의 규명 등은 특허법에서 정한 발명의 대상이라고 할 수 없기 때문이다.